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          當前位置:首頁  >  產品展示  >  太赫茲系統  >  太赫茲透鏡/窗片/晶體  >  THZ-GASE-5-5-1GaSe硒化鎵晶體 THZ太赫茲晶體

          GaSe硒化鎵晶體 THZ太赫茲晶體

          簡要描述:GaSe硒化鎵晶體 THZ太赫茲晶體型號 : THZ-GASE-5-5-1
          Z-cut:5 x 5 x 1mm

          • 產品型號:THZ-GASE-5-5-1
          • 廠商性質:經銷商
          • 更新時間:2022-08-08
          • 訪  問  量:342

          詳細介紹

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          GaSe(硒化鎵)晶體的太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域,至41THz。GaSe是負單軸層狀半導體晶體,擁有六邊形結構的62m空間點群,300K時禁帶寬度為2.2eV。GaSe晶體抗損傷閾值高,非線性系數大(54pm/V),非常合適的透明范圍,以及超低的吸收系數,這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。因寬帶太赫茲振蕩和探測使用的是低于20飛秒的激光光源,GaSe發射-探測系統能獲得與ZnTe可比的甚至更好的結果。通過對GaSe晶體厚度的選取,我們可以實現對THz波的頻率可選擇性控制。

          注:GaSe晶體的解理面為(001),因此對該晶體使用的一個很大限制在于質軟,易碎。

          產品特點

          ● 太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域

          ● 抗損傷閾值高

          ● 非線性系數大

          ● CO2激光的SHG

          ● 多種尺寸可選

          ● 客戶導向的解決方案

          ● 接受客戶定制服務


          GaSe硒化鎵晶體 THZ太赫茲晶體 產品應用

          ● 太赫茲時域系統

          ● 太赫茲源晶體

          ● 中遠紅外氣體探測

          ●  CO2激光的SHG

          ● THZ實驗光源

          ● 太赫茲成像

          技術參數

          GaSe晶體的透過率曲線

          thz1.jpg

          實驗室光路系統

          thz2.png


          EOS測量及反演結果

          thz3.png




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