IRPD5521Y 型 InGaAs 光電二極管模塊( PD/APD/TIA 光譜響應 800-1600nm) 筱曉光子庫存備有各種有效面積和封裝的PIN結二極管(PD)，包括銦鎵砷(InGaAs)、磷化鎵(GaP)、硅(Si)和鍺(Ge)光電二極管。

銦鎵砷 InGaAs 光電二極管探測器 2.2um擴展型 GPD GAP2000/2.2 2.2um擴展型InGaAs光電二極管響應截止波長達到2.2um,提供了出色的分流電阻，并在帶寬范圍內具有出色的響應度。

銦鎵砷 InGaAs 光電二極管探測器 2.2um擴展型 GPD GAP3000/2.2 2.2um擴展型InGaAs光電二極管響應截止波長達到2.2um,提供了出色的分流電阻，并在帶寬范圍內具有出色的響應度。

InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 (非制冷型) InGaAs 雪崩光電二極管（APD）是短波近紅外單 光子檢測的專用器件，可滿足量子通信、弱光探測等領 域對高效率低噪聲單光子檢測的技術需求，實現對0.9 ~ 1.7μm波長的單光子探測。

銦鎵砷 InGaAs InGaAs PIN光電二極管 φ2mm InGaAs 光電二極管主要用于近紅外探測，具有高速、高靈敏度、低噪音、寬廣普響應范圍（0.5 μm to 2.6 μm）等特點。

銦鎵砷 InGaAs InGaAs PIN光電二極管 φ2mm InGaAs 光電二極管主要用于近紅外探測，具有高速、高靈敏度、低噪音、寬廣普響應范圍（0.5 μm to 2.6 μm）等特點。

銦鎵砷 InGaAs InGaAs PIN光電二極管 φ0.3mm InGaAs 光電二極管主要用于近紅外探測，具有高速、高靈敏度、低噪音、寬廣普響應范圍（0.5 μm to 2.6 μm）等特點。

銦鎵砷 InGaAs InGaAs PIN光電二極管 φ3mm InGaAs 光電二極管主要用于近紅外探測，具有高速、高靈敏度、低噪音、寬廣普響應范圍（0.5 μm to 2.6 μm）等特點。