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硅 Si 光電平衡探測器 400~1100nm 100MHz 高速低噪聲光電平衡探測模塊集成了兩個匹配的超低噪 聲模擬PIN探測器、低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低噪聲電源。 具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲、高共模抑制比等 特點,可以有效的減少信號的共模噪聲,提高系統的信噪比。
SI硅光電探測器模塊320-1100nm 直徑 1.2mm C3A系列光電檢測模塊將光電二極管,放大電路和電源調理電路集成在一個小型化的模塊內。不僅適用于各種實驗室光學系統的搭建,也適用于在用戶產品中進行集成
硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 620nm APD 是具有通過施加反向電壓產生的內部增益的光電二極管。它們具有比 PIN 光電二極管更高的信噪比 (SNR),以及快速的時間響應、低暗電流和高靈敏度。光譜響應范圍通常在 200 - 1150 nm 范圍內。 C12702-12為短波型,有效面積:Φ3.0 mm APD 模塊專為方便使用 Si APD 而設計。
美國EOT - 硅光電探測器 118 MHz:材料:Silicon 上升/下降時間:<3ns/<3ns; 響應度:0.56A/W@830nm; 帶寬:>118MHz; 有效面積直徑:2.55mm; 輸出連接:BNC